رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTMFD4C87NT3G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTMFD4C87NT3G-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 11.7A, 14.9A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
المخزون:
12842053
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTMFD4C87NT3G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11.7A, 14.9A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22.2nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1252pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
1.1W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
حزمة جهاز المورد
8-DFN (5x6)
رقم المنتج الأساسي
NTMFD4
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDPC5018SG
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
8724
DiGi رقم الجزء
FDPC5018SG-DG
سعر الوحدة
0.77
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BSC0923NDIATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
4993
DiGi رقم الجزء
BSC0923NDIATMA1-DG
سعر الوحدة
0.50
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NDS9943
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.8A 8SOIC
NTMFD4C20NT3G
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
NVDD5894NLT4G
MOSFET 2N-CH 40V 14A 5DPAK
