رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTMFS6B05NT3G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTMFS6B05NT3G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 16A/104A 5DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 16A (Ta), 104A (Tc) 3.3W (Ta), 138W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
المخزون:
12858129
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTMFS6B05NT3G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16A (Ta), 104A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3100 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.3W (Ta), 138W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
رقم المنتج الأساسي
NTMFS6
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDMS86101
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
3728
DiGi رقم الجزء
FDMS86101-DG
سعر الوحدة
0.85
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NDS356P
MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3
NTD20N06T4G
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
NTMFS4H01NT3G
MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN
