رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTMS4101PR2
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTMS4101PR2-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 6.9A 8SOIC
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 6.9A (Ta) 1.38W (Tj) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12857569
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTMS4101PR2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.9A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
19mOhm @ 6.9A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
450mV @ 250µA (Min)
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
32 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3200 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.38W (Tj)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
NTMS41
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
NTMS4101PR2OS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NDS356AP
MOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3
NTA7002NT1G
MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
NVD6414ANT4G
MOSFET N-CH 100V 34A DPAK
