رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTMS4700NR2
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTMS4700NR2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 8.6A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12847934
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTMS4700NR2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.6A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.2mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1600 pF @ 24 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
860mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
NTMS47
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
NTMS4700NR2OSCT
ONSONSNTMS4700NR2
NTMS4700NR2OSTR
2156-NTMS4700NR2-ONTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AON6548
MOSFET N-CH 30V 52A/85A 8DFN
NDT014L
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
FDPF20N50T
MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
