رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTMS5835NLR2G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTMS5835NLR2G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 9.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12847909
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTMS5835NLR2G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9.2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2115 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
NTMS58
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
2156-NTMS5835NLR2G-ONTR
NTMS5835NLR2GOSTR
ONSONSNTMS5835NLR2G
NTMS5835NLR2GOSCT
NTMS5835NLR2GOSDKR
NTMS5835NLR2G-DG
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AO4484
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
213599
DiGi رقم الجزء
AO4484-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SQ4050EY-T1_GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
4852
DiGi رقم الجزء
SQ4050EY-T1_GE3-DG
سعر الوحدة
0.35
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDA33N25
MOSFET N-CH 250V 33A TO3PN
HUF76633S3ST
MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
FDA24N50F
MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN
