رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTP082N65S3F
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTP082N65S3F-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 40A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12860107
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTP082N65S3F المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
FRFET®, SuperFET® II
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
40A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
82mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3410 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
313W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
NTP082
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
NTP082N65S3FOS
NTP082N65S3F-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTP34N65X2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
152
DiGi رقم الجزء
IXTP34N65X2-DG
سعر الوحدة
3.26
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NVHL082N65S3F
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NVHL082N65S3F-DG
سعر الوحدة
4.59
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NP100P04PLG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 100A TO263
NP60N055VUK-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
RJK0391DPA-00#J5A
MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
