رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTP22N06L
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTP22N06L-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 22A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 22A (Ta) 60W (Tj) Through Hole TO-220
المخزون:
12860502
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTP22N06L المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
22A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
65mOhm @ 11A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
690 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
60W (Tj)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
NTP22N
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
NTP22N06LOS
ONSONSNTP22N06L
2156-NTP22N06L-ON
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFZ34PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
11668
DiGi رقم الجزء
IRFZ34PBF-DG
سعر الوحدة
0.70
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRLZ34PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
9235
DiGi رقم الجزء
IRLZ34PBF-DG
سعر الوحدة
0.71
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP36NF06L
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1580
DiGi رقم الجزء
STP36NF06L-DG
سعر الوحدة
0.52
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTMFS4C09NT1G-001
MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
NDF10N60ZG
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
SPW35N60CFDFKSA1
MOSFET N-CH 600V 34.1A TO247-3
