NTP27N06
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

NTP27N06

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

NTP27N06-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 27A (Ta) 88.2W (Tc) Through Hole TO-220

المخزون:

12857693
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

NTP27N06 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
27A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
46mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1015 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
88.2W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
NTP27N

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
NTP27N06OS

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

NVD5C460NLT4G

MOSFET N-CH 40V 18A/73A DPAK

onsemi

NTMS4935NR2G

MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC

onsemi

NTTFS4H05NTWG

MOSFET N-CH 25V 22.4A/94A 8WDFN