رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTP30N20G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTP30N20G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 30A (Ta) 214W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
12847845
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTP30N20G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
81mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2335 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
214W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
NTP30N
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
NTP30N20GOS
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFB4620PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
724
DiGi رقم الجزء
IRFB4620PBF-DG
سعر الوحدة
1.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP30NF20
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
972
DiGi رقم الجزء
STP30NF20-DG
سعر الوحدة
0.91
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP20NF20
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STP20NF20-DG
سعر الوحدة
0.80
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQD6N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
FQP11N40C
MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3
FQI4N80TU
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
