رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTPF165N65S3H
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTPF165N65S3H-DG
وصف:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220FP
المخزون:
12964017
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTPF165N65S3H المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
SuperFET® III
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
19A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1.6mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1808 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
33W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
488-NTPF165N65S3HCTINACTIVE
488-NTPF165N65S3H
488-NTPF165N65S3HDKR
488-NTPF165N65S3HTR
488-NTPF165N65S3HTR-DG
488-NTPF165N65S3HCT-DG
488-NTPF165N65S3HCT
488-NTPF165N65S3HDKR-DG
488-NTPF165N65S3HDKRINACTIVE
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
GC20N65F
المُصنِّع
Goford Semiconductor
الكمية المتاحة
20000
DiGi رقم الجزء
GC20N65F-DG
سعر الوحدة
1.05
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SUM70042E-GE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET D2P
SIHB053N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
FCPF360N65S3R0L-F154
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
