الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTR3162PT3G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTR3162PT3G-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 2.2A (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12927416
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTR3162PT3G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
70mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10.3 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
940 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
480mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3 (TO-236)
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
NTR316
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
NTR3162P
مخططات البيانات
NTR3162PT3G
ورقة بيانات HTML
NTR3162PT3G-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PMV65XPER
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
PMV65XPER-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RUR020N02TL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
9907
DiGi رقم الجزء
RUR020N02TL-DG
سعر الوحدة
0.14
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RUR040N02TL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
12615
DiGi رقم الجزء
RUR040N02TL-DG
سعر الوحدة
0.20
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SI2321-TP
المُصنِّع
Micro Commercial Co
الكمية المتاحة
24996
DiGi رقم الجزء
SI2321-TP-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RQ5C035BCTCL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
17621
DiGi رقم الجزء
RQ5C035BCTCL-DG
سعر الوحدة
0.13
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTTFS4C50NTWG
MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
JAN2N6788
MOSFET N-CH 100V 6A TO39
JANTXV2N7236
MOSFET P-CH 100V 18A TO254AA
JANTX2N6766
MOSFET N-CH 200V 30A TO3