رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NTTFD018N08LC
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NTTFD018N08LC-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 80V 6A/26A 12WQFN
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 80V 6A (Ta), 26A (Tc) 1.7W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount 12-WQFN (3.3x3.3)
المخزون:
3000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12971457
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NTTFD018N08LC المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
18mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 44µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12.4nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
856pF @ 40V
الطاقة - الحد الأقصى
1.7W (Ta), 26W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
12-PowerWQFN
حزمة جهاز المورد
12-WQFN (3.3x3.3)
رقم المنتج الأساسي
NTTFD018
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
488-NTTFD018N08LCCT
488-NTTFD018N08LCDKR
488-NTTFD018N08LCTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PJL9804_R2_00001
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
SQ4937EY-T1_BE3
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
PJX8803_R1_00001
MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SOT563
