رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVB190N65S3F
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVB190N65S3F-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 162W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
752 قطع جديدة أصلية في المخزون
12939003
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVB190N65S3F المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
SuperFET® III
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 430µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1605 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
162W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
NVB190
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
488-NVB190N65S3FCT
NVB190N65S3F-DG
488-NVB190N65S3FDKR
488-NVB190N65S3FTR
2156-NVB190N65S3F-488
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVGS5120PT1G
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
NP15P04SLG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 15A TO252
NP82N03PUG-E1-AY
MOSFET N-CH 30V 82A TO263
