الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVB5405NT4G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVB5405NT4G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 16.5A/116A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 16.5A (Ta), 116A (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12857303
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVB5405NT4G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16.5A (Ta), 116A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.8mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4000 pF @ 32 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Ta), 150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
NVB540
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDB8444
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
167141
DiGi رقم الجزء
FDB8444-DG
سعر الوحدة
1.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPB70N04S406ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1995
DiGi رقم الجزء
IPB70N04S406ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.79
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN8R0-40BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
800
DiGi رقم الجزء
PSMN8R0-40BS,118-DG
سعر الوحدة
0.53
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BUK9609-40B,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
5268
DiGi رقم الجزء
BUK9609-40B,118-DG
سعر الوحدة
0.71
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BUK768R1-40E,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4792
DiGi رقم الجزء
BUK768R1-40E,118-DG
سعر الوحدة
0.60
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTMFS5C406NLT1G
MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN
RJL6020DPK-00#T0
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
RFP40N10
MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3
NTMFS10N7D2C
MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN