رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVD6820NLT4G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVD6820NLT4G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 90V 10A/50A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 90 V 10A (Ta), 50A (Tc) 4W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DPAK
المخزون:
12842023
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVD6820NLT4G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
90 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Ta), 50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
16.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
44 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4209 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
4W (Ta), 100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
NVD682
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
NVD6820NLT4G-DG
NVD6820NLT4GOSTR
NVD6820NLT4GOSCT
NVD6820NLT4GOSDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVMFS015N10MCLT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
8367
DiGi رقم الجزء
NVMFS015N10MCLT1G-DG
سعر الوحدة
0.45
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFR3710ZTRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
13481
DiGi رقم الجزء
IRFR3710ZTRPBF-DG
سعر الوحدة
0.86
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTP4813NLG
MOSFET N-CH 30V 10.2A TO220AB
NTHD3101FT3G
MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
RFD14N05SM9A
MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
