رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVE4153NT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVE4153NT1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 915MA SC89
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 915mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SC-89-3
المخزون:
13049 قطع جديدة أصلية في المخزون
12840201
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVE4153NT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
915mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
230mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.82 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±6V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
110 pF @ 16 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300mW (Tj)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SC-89-3
العبوة / العلبة
SC-89, SOT-490
رقم المنتج الأساسي
NVE4153
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
NVE4153NT1GOSTR
NVE4153NT1GOSCT
NVE4153NT1GOSDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FCD900N60Z
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
FQD3N40TF
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
NVTFS005N04CTAG
MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
