رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVF6P02T3G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVF6P02T3G-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 8.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
المخزون:
4039 قطع جديدة أصلية في المخزون
12843377
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVF6P02T3G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
50mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1200 pF @ 16 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
8.3W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223 (TO-261)
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
NVF6P02
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
NVF6P02T3GOSDKR
NVF6P02T3GOSCT
NVF6P02T3GOSTR
NVF6P02T3G-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTF6P02T3G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
45559
DiGi رقم الجزء
NTF6P02T3G-DG
سعر الوحدة
0.47
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF9530SPBF
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
MMFT960T1G
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
IRF840BPBF
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
