NVHL110N65S3F
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

NVHL110N65S3F

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

NVHL110N65S3F-DG

وصف:

MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-247-3

المخزون:

450 قطع جديدة أصلية في المخزون
12860642
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

NVHL110N65S3F المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperFET® III, FRFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
110mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 3mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2560 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
240W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
NVHL110

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
NVHL110N65S3FOS
NVHL110N65S3F-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

NTMFS5C442NLTT3G

MOSFET N-CH 40V 28A/130A 5DFN

panasonic

FK4B01100L1

MOSFET N-CH 12V 3.4A XLGA004

renesas-electronics-america

H5N2307LSTL-E

MOSFET N-CH HS SW TO-263

renesas-electronics-america

RJK0355DSP-01#J0

MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP