رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVJS3151PT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVJS3151PT1G-DG
وصف:
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88
وصف تفصيلي:
P-Channel 12 V 2.7A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
المخزون:
12857623
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVJS3151PT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.7A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.6 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
850 pF @ 12 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
625mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SC-88/SC70-6/SOT-363
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
رقم المنتج الأساسي
NVJS31
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2156-NVJS3151PT1G-OS
ONSONSNVJS3151PT1G
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTJS3151PT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
10336
DiGi رقم الجزء
NTJS3151PT1G-DG
سعر الوحدة
0.10
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
NTJS3151PT2G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2987
DiGi رقم الجزء
NTJS3151PT2G-DG
سعر الوحدة
0.10
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RFD3055LESM9A
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
NDS8425
MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC
NVD4856NT4G
MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK
