رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVMFD5C462NLWFT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVMFD5C462NLWFT1G-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 40V 18A/84A 8DFN
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 40V 18A (Ta), 84A (Tc) 3W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
المخزون:
12857288
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVMFD5C462NLWFT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 40µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1300pF @ 25V
الطاقة - الحد الأقصى
3W (Ta), 50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
حزمة جهاز المورد
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
رقم المنتج الأساسي
NVMFD5
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
NVMFD5C462NLWFT1GOSTR
NVMFD5C462NLWFT1GOSDKR
NVMFD5C462NLWFT1GOSCT
NVMFD5C462NLWFT1G-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
UPA1764G-E1-A
MOSFET
NTHD4502NT1
MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
NTTFS5C658NLTAG
MOSFET 60V U8FL
