رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVMFS3D6N10MCLT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVMFS3D6N10MCLT1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 20A/132A 5DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 20A (Ta), 132A (Tc) 3.2W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
المخزون:
29 قطع جديدة أصلية في المخزون
12976681
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVMFS3D6N10MCLT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Ta), 132A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.6mOhm @ 48A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 270µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4411 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.2W (Ta), 139W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
رقم المنتج الأساسي
NVMFS3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
488-NVMFS3D6N10MCLT1GTR
488-NVMFS3D6N10MCLT1GDKR
488-NVMFS3D6N10MCLT1GCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVMFWS3D6N10MCLT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1569
DiGi رقم الجزء
NVMFWS3D6N10MCLT1G-DG
سعر الوحدة
1.61
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RJK5013DPP-00#T2
RJK5013DPP - N CHANNEL MOSFET
PSMN017-30EL,127
PSMN017-30EL - N-CHANNEL 30V LO
2SK3431-AZ
2SK3431-AZ - SWITCHING N-CHANNEL
