NVMFS6B14NT3G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

NVMFS6B14NT3G

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

NVMFS6B14NT3G-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 15A 5DFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 55A (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

المخزون:

12842653
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

NVMFS6B14NT3G المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
55A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
15mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1300 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 94W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN, 5 Leads
رقم المنتج الأساسي
NVMFS6

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
5,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
FDWS86068-F085
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
322
DiGi رقم الجزء
FDWS86068-F085-DG
سعر الوحدة
1.49
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

SFT1445-TL-H

MOSFET N-CH 100V 17A TP-FA

onsemi

NTMFS4C10NBT1G

MOSFET N-CH 30V 16.4A/46A 5DFN

onsemi

NTD12N10-1G

MOSFET N-CH 100V 12A IPAK

infineon-technologies

AUIRFS3107-7P

MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK