رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NVMS5P02R2G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
NVMS5P02R2G-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 3.95A (Ta) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
4555 قطع جديدة أصلية في المخزون
12843239
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NVMS5P02R2G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.95A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.25V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 4.5 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1900 pF @ 16 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
NVMS5P02
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
NVMS5P02R2GOSDKR
NVMS5P02R2G-DG
2156-NVMS5P02R2G-OS
NVMS5P02R2GOSTR
NVMS5P02R2GOSCT
ONSONSNVMS5P02R2G
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSP316PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
NDP6020P
MOSFET P-CH 20V 24A TO220-3
NVMYS1D3N04CTWG
TRENCH 6 40V SL NFET
