RFD10P03LSM
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

RFD10P03LSM

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

RFD10P03LSM-DG

وصف:

MOSFET P-CH 30V 10A TO252-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 10A (Tc) Surface Mount TO-252AA

المخزون:

12848409
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

RFD10P03LSM المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
200mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1035 pF @ 25 V
ميزة FET
-
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
RFD10

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
75

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

BSS84

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3

onsemi

FDB070AN06A0

MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK

onsemi

FQL40N50

MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3

infineon-technologies

IPB160N08S403ATMA1

MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7