RFD14N05LSM
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

RFD14N05LSM

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

RFD14N05LSM-DG

وصف:

MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
وصف تفصيلي:
N-Channel 50 V 14A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount TO-252AA

المخزون:

39191 قطع جديدة أصلية في المخزون
12936849
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

RFD14N05LSM المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
50 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
100mOhm @ 14A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
670 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
48W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
RFD14N05

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
RFD14N05LSM-NDR
FAIFSCRFD14N05LSM
2156-RFD14N05LSM-OS

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
renesas-electronics-america

UPA2723T1A-E2-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

texas-instruments

TPIC2322LD

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

renesas-electronics-america

UPA2751GR-E1-A

N-CHANNEL POWER MOSFET

infineon-technologies

BSC070N10NS5SCATMA1

MOSFET N-CH 100V 14A/82A 8SWSON