رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RFD16N05LSM
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
RFD16N05LSM-DG
وصف:
MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
وصف تفصيلي:
N-Channel 50 V 16A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12857006
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RFD16N05LSM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
50 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
47mOhm @ 16A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±10V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
60W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
RFD16
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
RFD16N05LSM-NDR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD20NF06LT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
6475
DiGi رقم الجزء
STD20NF06LT4-DG
سعر الوحدة
0.50
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RFD16N05LSM9A
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
13940
DiGi رقم الجزء
RFD16N05LSM9A-DG
سعر الوحدة
0.37
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD20NF06T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
6960
DiGi رقم الجزء
STD20NF06T4-DG
سعر الوحدة
0.44
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
UPA2825T1S-E2-AT
MOSFET N-CH 30V 8HVSON
NVTFS4C06NWFTAG
MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
NP89N03ZUGW-U
TRANSISTOR
