رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RFG60P05E
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
RFG60P05E-DG
وصف:
MOSFET P-CH 50V 60A TO247-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 50 V 60A (Tc) 215W (Tc) Through Hole TO-247-3
المخزون:
12857190
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RFG60P05E المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
50 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
60A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
30mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
450 nC @ 20 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7200 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
215W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
RFG60
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTH76P10T
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
3540
DiGi رقم الجزء
IXTH76P10T-DG
سعر الوحدة
3.86
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTH027N65S3F-F155
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
NVMFS5C450NWFT3G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
NVATS5A108PLZT4G
MOSFET P-CHANNEL 40V 77A ATPAK
