RFP22N10
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

RFP22N10

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

RFP22N10-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 22A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3

المخزون:

12856264
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

RFP22N10 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
22A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
80mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
150 nC @ 20 V
Vgs (ماكس)
±20V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
RFP22

معلومات إضافية

الباقة القياسية
400

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
STP24NF10
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
720
DiGi رقم الجزء
STP24NF10-DG
سعر الوحدة
0.64
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

NTTFS5826NLTAG

MOSFET N-CH 60V 8A 8WDFN

onsemi

NTTFS4929NTAG

MOSFET N-CH 30V 6.6A/34A 8WDFN

onsemi

SFT1342-E

MOSFET P-CH 60V 12A IPAK/TP

onsemi

NVMFS5C646NLWFAFT1G

MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN