رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SCH1333-TL-H
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
SCH1333-TL-H-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 2A 6SCH
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount 6-SCH
المخزون:
12857125
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SCH1333-TL-H المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
130mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
3.3 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
250 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
800mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-SCH
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
رقم المنتج الأساسي
SCH133
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
2156-SCH1333-TL-H-ONTR
ONSONSSCH1333-TL-H
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SSM6J213FE(TE85L,F
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
SSM6J213FE(TE85L,F-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTMFS4946NT1G
MOSFET N-CH 30V 12.7A/100A 5DFN
NTMFS4927NT3G
MOSFET N-CH 30V 7.9A/38A 5DFN
NTHS5402T1
MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
