رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SFT1350-H
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
SFT1350-H-DG
وصف:
MOSFET P-CH 40V 19A TP
وصف تفصيلي:
P-Channel 40 V 19A (Ta) 1W (Ta), 23W (Tc) Through Hole IPAK/TP
المخزون:
12858049
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SFT1350-H المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
19A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
59mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
590 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta), 23W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
IPAK/TP
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
SFT135
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
2156-SFT1350-H-ON
ONSONSSFT1350-H
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVMFS5834NLT1G
MOSFET N-CH 40V 14A/75A 5DFN
NTD6600N-001
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
NTD18N06LT4G
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
