الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SMMBTA56LT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
SMMBTA56LT1G-DG
وصف:
TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 500 mA 50MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
المخزون:
50198 قطع جديدة أصلية في المخزون
12861431
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SMMBTA56LT1G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
500 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
80 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 10mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 100mA, 1V
الطاقة - الحد الأقصى
225 mW
التردد - الانتقال
50MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3 (TO-236)
رقم المنتج الأساسي
SMMBTA56
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
MMBTA55L_56L, SMMBTA56L Series
مخططات البيانات
SMMBTA56LT1G
ورقة بيانات HTML
SMMBTA56LT1G-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SMMBTA56LT1GOSDKR
ONSONSSMMBTA56LT1G
SMMBTA56LT1G-DG
SMMBTA56LT1GOSCT
SMMBTA56LT1GOSTR
2156-SMMBTA56LT1G-OS
2832-SMMBTA56LT1GTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SC4783-T1-A
TRANSISTOR NPN USM SC-75
BC847C-TP
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
DSC2C01S0L
TRANS NPN 100V 0.02A MINI3
SSTX404S
TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3