الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DME201020R
Product Overview
المُصنّع:
Panasonic Electronic Components
رقم الجزء DiGi Electronics:
DME201020R-DG
وصف:
TRANS NPN/PNP 60V 0.5A MINI5
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 60V 500mA 130MHz 300mW Surface Mount Mini5-G3-B
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12848429
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DME201020R المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
Panasonic
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع الترانزستور
NPN, PNP (Emitter Coupled)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
500mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
60V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
600mV @ 30mA, 300mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
120 @ 150mA, 10V
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
التردد - الانتقال
130MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-74A, SOT-753
حزمة جهاز المورد
Mini5-G3-B
رقم المنتج الأساسي
DME20102
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
QS5Y2FSTR
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
3614
DiGi رقم الجزء
QS5Y2FSTR-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NSVT65010MW6T1G
TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88-6
EMT1DXV6T5
TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
MCH6541-TL-E
TRANS NPN/PNP 30V 0.7A 6MCPH
DMG204B10R
TRANS NPN/PNP 20V/50V MINI6