رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DRA3113Z0L
Product Overview
المُصنّع:
Panasonic Electronic Components
رقم الجزء DiGi Electronics:
DRA3113Z0L-DG
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 50V SSSMINI3
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 100 mW Surface Mount SSSMini3-F2-B
المخزون:
12861252
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DRA3113Z0L المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
Panasonic
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع الترانزستور
PNP - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
1 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
10 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
30 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
الطاقة - الحد الأقصى
100 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-723
حزمة جهاز المورد
SSSMini3-F2-B
رقم المنتج الأساسي
DRA3113
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
DRA3113Z0LCT
DRA3113Z0L-DG
DRA3113Z0LTR
DRA3113Z0LDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RN2119MFV(TPL3)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
RN2119MFV(TPL3)-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DTA113EM3T5G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
8000
DiGi رقم الجزء
DTA113EM3T5G-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DTA113ZMT2L
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
7749
DiGi رقم الجزء
DTA113ZMT2L-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DRA2114Y0L
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A MINI3
UNR221K00L
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A MINI3
DRC2114Y0L
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A MINI3
