SK8603140L
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

SK8603140L

Product Overview

المُصنّع:

Panasonic Electronic Components

رقم الجزء DiGi Electronics:

SK8603140L-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 25A 8HSO
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 25A (Ta), 103A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount HSO8-F4-B

المخزون:

2940 قطع جديدة أصلية في المخزون
12860218
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

SK8603140L المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Panasonic
تعبئة
Cut Tape (CT)
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
25A (Ta), 103A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.2mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 5.85mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
37 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6860 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 40W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
HSO8-F4-B
العبوة / العلبة
8-PowerSMD, Flat Leads

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
SK8603140L Datasheet

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
P16267CT
P16267TR
P16267DKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
RS1E280BNTB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
35014
DiGi رقم الجزء
RS1E280BNTB-DG
سعر الوحدة
0.27
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
CSD17576Q5B
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
6497
DiGi رقم الجزء
CSD17576Q5B-DG
سعر الوحدة
0.45
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SI7658ADP-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
3466
DiGi رقم الجزء
SI7658ADP-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
1.19
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
CSD17576Q5BT
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
477
DiGi رقم الجزء
CSD17576Q5BT-DG
سعر الوحدة
0.57
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SIRA02DP-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
7498
DiGi رقم الجزء
SIRA02DP-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.67
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
onsemi

NTB5605PT4

MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK

onsemi

NVR5198NLT3G

MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3

renesas-electronics-america

NP15P04SLG(2)-E1-AY

TRANSISTOR

onsemi

NTD32N06-001

MOSFET N-CH 60V 32A IPAK