رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
XN0111200L
Product Overview
المُصنّع:
Panasonic Electronic Components
رقم الجزء DiGi Electronics:
XN0111200L-DG
وصف:
TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI5
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 80MHz 300mW Surface Mount Mini5-G1
المخزون:
12859014
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
XN0111200L المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Panasonic
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
22kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
22kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
60 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 300µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
80MHz
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-74A, SOT-753
حزمة جهاز المورد
Mini5-G1
رقم المنتج الأساسي
XN0111
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
XN0111200LTR-NDR
XN1112-TX
XN1112CT-DG
XN1112TR
XN1112-(TX)
XN1112TR-DG
XN0111200LCT
XN0111200LDKR-NDR
XN0111200LTR
XN0111200LCT-NDR
XN1112CT
XN0111200LDKR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RN2503(TE85L,F)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
2678
DiGi رقم الجزء
RN2503(TE85L,F)-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
XN0421L00L
TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6
UP0421500L
TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6
SMUN5114DW1T1G
TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
