رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
XN0421200L
Product Overview
المُصنّع:
Panasonic Electronic Components
رقم الجزء DiGi Electronics:
XN0421200L-DG
وصف:
TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 300mW Surface Mount MINI6-G1
المخزون:
12864108
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
XN0421200L المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Panasonic
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
22kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
22kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
60 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 300µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
150MHz
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-23-6
حزمة جهاز المورد
MINI6-G1
رقم المنتج الأساسي
XN0421
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
XN0421200LCT
XN0421200LCT-NDR
Q2382312
XN4212CT-DG
XN4212-(TX)
XN4212CT
XN0421200LDKR
XN4212TR
XN0421200LTR
XN4212TR-DG
XN0421200LTR-NDR
XN4212-TX
XN0421200LDKR-NDR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
RN4603(TE85L,F)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
RN4603(TE85L,F)-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IMH1AT110
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IMH1AT110-DG
سعر الوحدة
0.09
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
XP0611300L
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6
XN0621500L
TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6
UP0411100L
TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI6
