رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
XP0621200L
Product Overview
المُصنّع:
Panasonic Electronic Components
رقم الجزء DiGi Electronics:
XP0621200L-DG
وصف:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMINI6-G1
المخزون:
12860162
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
XP0621200L المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Panasonic
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
22kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
22kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
60 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 300µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
150MHz
الطاقة - الحد الأقصى
150mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SMINI6-G1
رقم المنتج الأساسي
XP0621
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
XP6212CT
XP0621200LTR
XP0621200LTR-NDR
XP6212TR
XP6212TR-DG
XP0621200LCT-NDR
XP6212CT-DG
XP0621200LDKR
XP6212-(TX)
XP0621200LDKR-NDR
XP0621200LCT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
RN1963(TE85L,F)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
RN1963(TE85L,F)-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SMUN5235DW1T3G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
NSBC143EPDXV6T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
NP062AN00A
TRANS 2NPN PREBIAS SSSMINI6
