رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PJW5N06A_R2_00001
Product Overview
المُصنّع:
Panjit International Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PJW5N06A_R2_00001-DG
وصف:
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 5A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223
المخزون:
12972358
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PJW5N06A_R2_00001 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
PANJIT
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
75mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
509 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
PJW5N06
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
3757-PJW5N06A_R2_00001TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PJD16P06A-AU_L2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJW1NA60_R2_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
NVD4806NT4G-VF01
MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
