رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
QJD1210011
Product Overview
المُصنّع:
Powerex Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
QJD1210011-DG
وصف:
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 900W Chassis Mount Module
المخزون:
12840375
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
QJD1210011 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Powerex
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
التقنية
Silicon Carbide (SiC)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200V (1.2kV)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
25mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 10mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
500nC @ 20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
10200pF @ 800V
الطاقة - الحد الأقصى
900W
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Chassis Mount
العبوة / العلبة
Module
حزمة جهاز المورد
Module
رقم المنتج الأساسي
QJD1210
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
NTLJD2104PTAG
MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
FDS8958
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC