رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SA1052MCTR-E
Product Overview
المُصنّع:
Renesas Electronics Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SA1052MCTR-E-DG
وصف:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 150 mW Surface Mount 3-MPAK
المخزون:
21245 قطع جديدة أصلية في المخزون
12940230
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SA1052MCTR-E المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Renesas Electronics Corporation
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
30 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
200mV @ 10mA, 1mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
160 @ 2mA, 12V
الطاقة - الحد الأقصى
150 mW
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
درجة
-
تأهيل
-
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
3-MPAK
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,704
اسماء اخرى
RENRNS2SA1052MCTR-E
2156-2SA1052MCTR-E
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
Not applicable
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
KST13MTF
TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
2SB764E-SSH
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
RJK0349DPA-01#J0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
