رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NJM8512BR-TE2
Product Overview
المُصنّع:
Nisshinbo Micro Devices Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
NJM8512BR-TE2-DG
وصف:
IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8VSP
وصف تفصيلي:
J-FET Amplifier 2 Circuit 8-VSP
المخزون:
13514654
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NJM8512BR-TE2 المواصفات الفنية
فئة
مضخمات, أجهزة القياس، مكبرات العمليات، مكبرات التوجيه
المُصنّع
RICOH/Nisshinbo Micro Devices
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع مكبر للصوت
J-FET
عدد الدوائر
2
نوع الإخراج
-
معدل الدوران
20V/µs
اكتساب عرض النطاق الترددي المنتج
7 MHz
التيار - تحيز الإدخال
25 pA
الجهد - إزاحة الإدخال
80 µV
التيار - العرض
2.6mA
الجهد - فترة الإمداد (دقيقة)
9 V
الجهد - فترة الإمداد (الحد الأقصى)
32 V
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 125°C
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-LSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-VSP
رقم المنتج الأساسي
NJM8512
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
190-NJM8512BR-TE2TR
190-NJM8512BR-TE2TR-ND
2129-NJM8512BR-TE2TR
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.33.0001
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NJM2904CV-TE1
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SSOP
NJM2732V-TE1
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SSOP
NJU7028V-TE2
IC CMOS 4 CIRCUIT 14SSOP