رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SB1260T100P
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SB1260T100P-DG
وصف:
TRANS PNP 80V 1A MPT3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A 100MHz 2 W Surface Mount MPT3
المخزون:
13522811
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
goM7
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SB1260T100P المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
1 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
80 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
400mV @ 50mA, 500mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
82 @ 100mA, 3V
الطاقة - الحد الأقصى
2 W
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-243AA
حزمة جهاز المورد
MPT3
رقم المنتج الأساسي
2SB1260
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
BSR33TA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
887
DiGi رقم الجزء
BSR33TA-DG
سعر الوحدة
0.09
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BCX53,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
3085
DiGi رقم الجزء
BCX53,115-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BCX5316-13R
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
3746
DiGi رقم الجزء
BCX5316-13R-DG
سعر الوحدة
0.14
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BSR33,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
425
DiGi رقم الجزء
BSR33,115-DG
سعر الوحدة
0.10
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PBSS5480X,135
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
14525
DiGi رقم الجزء
PBSS5480X,135-DG
سعر الوحدة
0.11
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SA933ASTPR
TRANS PNP 50V 0.15A SPT
BCW60DT116
TRANS NPN 32V 0.2A SST3
2SA1577T106R
TRANS PNP 32V 0.5A UMT3