الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SC5865TLQ
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SC5865TLQ-DG
وصف:
TRANS NPN 60V 1A TSMT3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 1 A 250MHz 500 mW Surface Mount TSMT3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
13524562
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SC5865TLQ المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
1 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
60 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
500mV @ 50mA, 500mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
120 @ 100mA, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
500 mW
التردد - الانتقال
250MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-96
حزمة جهاز المورد
TSMT3
رقم المنتج الأساسي
2SC5865
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
BC846A-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
162128
DiGi رقم الجزء
BC846A-7-F-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DSS4160T-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
60116
DiGi رقم الجزء
DSS4160T-7-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FMMT451TA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
19799
DiGi رقم الجزء
FMMT451TA-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
2SC5866TLR
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
22826
DiGi رقم الجزء
2SC5866TLR-DG
سعر الوحدة
0.12
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BC846B-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
111149
DiGi رقم الجزء
BC846B-7-F-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SB1427T100E
TRANS PNP 20V 2A MPT3
2SD2142KT146
TRANS NPN DARL 30V 0.3A SMT3
BD239-S
TRANS NPN 45V 2A TO220
2SA2119KT146
TRANS PNP 12V 0.5A SMT3