رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SD2607FU6
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SD2607FU6-DG
وصف:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220FN
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 40MHz 2 W Through Hole TO-220FN
المخزون:
13522070
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SD2607FU6 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN - Darlington
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
8 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
100 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1.5V @ 6mA, 3A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
1000 @ 2A, 3V
الطاقة - الحد الأقصى
2 W
التردد - الانتقال
40MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
حزمة جهاز المورد
TO-220FN
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
2N6045G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
702
DiGi رقم الجزء
2N6045G-DG
سعر الوحدة
0.36
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SA1579T106S
TRANS PNP 120V 0.05A UMT3
2SD1858TV2Q
TRANS NPN 32V 1A ATV
BCX70KT216
TRANS NPN 45V 0.2A SST3
