رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DTA114YETL
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
DTA114YETL-DG
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount EMT3
المخزون:
671 قطع جديدة أصلية في المخزون
13521609
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DTA114YETL المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
10 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
68 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
150 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-75, SOT-416
حزمة جهاز المورد
EMT3
رقم المنتج الأساسي
DTA114
مواصفات تقنية ومستندات
وثائق الموثوقية
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DTA114YETLCT
DTA114YETL-ND
DTA114YETLDKR
DTA114YETLTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
DTA114YET1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
8044
DiGi رقم الجزء
DTA114YET1G-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
SDTA114YET1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2815
DiGi رقم الجزء
SDTA114YET1G-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
DTA114EET1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
26288
DiGi رقم الجزء
DTA114EET1G-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DTA144WETL
TRANS PREBIAS PNP 50V EMT3
DTB123EKFRAT146
TRANS PREBIAS PNP 0.5A SMT3
DTA014YEBTL
TRANS PREBIAS PNP 50V EMT3F
