DTB123ESTP
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DTB123ESTP

Product Overview

المُصنّع:

Rohm Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

DTB123ESTP-DG

وصف:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SPT
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 300 mW Through Hole SPT

المخزون:

13522905
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

DTB123ESTP المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
500 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
2.2 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
2.2 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
39 @ 50mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
200 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
300 mW
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
SC-72 Formed Leads
حزمة جهاز المورد
SPT
رقم المنتج الأساسي
DTB123

معلومات إضافية

الباقة القياسية
5,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
rohm-semi

DTC144GUAT106

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3

rohm-semi

DTB143EKT146

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3

rohm-semi

DTC144WKAT146

TRANS PREBIAS NPN 50V SMT3

rohm-semi

DTB713ZMT2L

TRANS PREBIAS PNP 30V 0.2A VMT3