رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DTB723YETL
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
DTB723YETL-DG
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 30V 0.2A EMT3
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30 V 200 mA 260 MHz 150 mW Surface Mount EMT3
المخزون:
13523935
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DTB723YETL المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
200 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
30 V
المقاوم - القاعدة (R1)
2.2 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
10 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
140 @ 100mA, 2V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
260 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
150 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-75, SOT-416
حزمة جهاز المورد
EMT3
رقم المنتج الأساسي
DTB723
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
RN2115,LF(CT
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
RN2115,LF(CT-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DTA123YETL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2999
DiGi رقم الجزء
DTA123YETL-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DDTA123YE-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DDTA123YE-7-F-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DTA123YU3HZGT106
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3
DTA143EEBHZGTL
TRANS PREBIAS PNP 0.1A EMT3F
DTC123TKAT146
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3