الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DTD543EETL
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
DTD543EETL-DG
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 12 V 500 mA 260 MHz 150 mW Surface Mount EMT3
المخزون:
1331 قطع جديدة أصلية في المخزون
13523854
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DTD543EETL المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
500 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
12 V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
4.7 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
115 @ 100mA, 2V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
260 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
150 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-75, SOT-416
حزمة جهاز المورد
EMT3
رقم المنتج الأساسي
DTD543
مواصفات تقنية ومستندات
وثائق الموثوقية
EMT3 DTR Reliability Test
أوراق البيانات
DTD543EE
DTA114EEFRA
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DTD543EETLTR
DTD543EETL-ND
DTD543EETLCT
DTD543EETLDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
PDTC143EM,315
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
9936
DiGi رقم الجزء
PDTC143EM,315-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DDTC114EE-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
4900
DiGi رقم الجزء
DDTC114EE-7-F-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DDTC143EE-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
2997
DiGi رقم الجزء
DDTC143EE-7-F-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DDTC123EE-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DDTC123EE-7-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DDTC124EE-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
875
DiGi رقم الجزء
DDTC124EE-7-F-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DTA144EUBHZGTL
TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3F
DTB143ECHZGT116
TRANS PREBIAS PNP 0.5A SST3
DTC114EU3HZGT106
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
DTD113ECHZGT116
TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3