رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EM6K31T2R
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
EM6K31T2R-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 60V 250mA 150mW Surface Mount EMT6
المخزون:
19659 قطع جديدة أصلية في المخزون
13522729
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EM6K31T2R المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
250mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
-
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
15pF @ 25V
الطاقة - الحد الأقصى
150mW
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
EMT6
رقم المنتج الأساسي
EM6K31
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
وثائق الموثوقية
موارد التصميم
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
EM6K31T2RTR
EM6K31T2RDKR
EM6K31T2R-ND
EM6K31T2RCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
EM6K6T2R
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
BSM180D12P2C101
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
BSM120D12P2C005
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
