رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EMB11T2R
Product Overview
المُصنّع:
Rohm Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
EMB11T2R-DG
وصف:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
المخزون:
30713 قطع جديدة أصلية في المخزون
13524609
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EMB11T2R المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
ROHM Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
10kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
10kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
20 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
150mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
EMT6
رقم المنتج الأساسي
EMB11
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
وثائق الموثوقية
موارد التصميم
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
EMB11T2R-ND
EMB11T2RDKR
EMB11T2RTR
EMB11T2RCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
